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采用射频磁控溅射设备以NiO为空穴注入层在MQWs/n?GaN上制备了p?NiO/MQWs/n?GaN异质结发光器件。通过X射线衍射仪（XRD）、原子力显微......
Mo/Si多层膜镀膜工艺是极紫外光刻的关键技术之一,为了优化并提升Mo/Si多层膜的镀膜工艺,研究了气压、靶-基底间距这两个工艺参数......
采用单靶磁控溅射方法在不同溅射时间下制备了铜铟镓硒薄膜,并且利用激光诱导击穿光谱技术实现对铜铟镓硒薄膜中元素含量比的快速......
铜铟镓硒薄膜中4种元素的含量比对薄膜的性能有非常大的影响。采用磁控溅射方法在不同工作气压下制备了铜铟镓硒薄膜,利用激光诱导......
采用射频磁控溅射法制备了用于液晶光阀光敏层的a-Si1-x(CdTe)x∶H薄膜。研究了CdTe含量对氢化非晶硅薄膜光学性能的影响。采用扫......
采用射频磁控溅射法制备了CaWO4∶Yb3 薄膜并考察了沉积气压和时间对其结构、形貌和发光性能的影响。在不同的气压下, 薄膜的XRD结......
采用磁控溅射镀膜仪制备了基于过渡金属W和介质SiO2的6层薄膜样品,膜系结构为Cu (...
薄膜沉积是滤片制备过程中的核心环节,优化薄膜沉积工艺对于提高薄膜滤片的稳定性具有重要意义。本课题组采用脉冲直流磁控溅射工......
氟化钇薄膜由于具有优良的光学性能常被用于红外波段,通过优化磁控溅射工艺,成功地在锗基底上实现了厚度大于1 μm的氟化钇薄膜的......
采用射频磁控溅射法在超白玻璃衬底上制备出了近红外波段高透光性的AZO透明导电薄膜，用XRD、SEM和发光光度计研究了不同Ar气流量对A......
采用射频磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了Hf∶ZnO (HZO)薄膜,研究了氧气流速和退火温度对薄膜微观结构和光电性能的影响。为了提高......
首次提出了用磁控溅射方法制备光栅常数d在10 nm量级的透射式闪耀光栅的新方法的设想,并以基于层间界面全反射的透射式闪耀光栅为......
采用射频磁控反应溅射技术, 在不同的Ar/O2流量比条件下制备了系列Er2O3薄膜样品。采用椭偏光谱和紫外-可见光透射光谱测试分析技......
采用直流磁控溅射技术制备了周期厚度为27.5 nm的W/Si多层膜,使用实时应力测量装置对其应力特性进行了研究。为降低膜层应力,采用W......
采用射频磁控溅射法在n型单晶Si(100)衬底上制备Au/Si/Au多层薄膜,并在300 ℃真空原位退火30 min。扫描电子显微镜(SEM)及透射电子......
氮化钛薄膜(Titanium nitride,TiN)作为硬质薄膜的一种，具有较高的硬度、好的膜基结合力、涂层装饰性强等优点在刀具、精密零部件和......
磁控溅射系统在恒定溅射功率、Ar气压和Ar气流流量下,直接在Si(100)衬底上沉积两组不同沉积结构的Ca膜.随后,600℃分别真空退火5、......
Influence of deposition temperature on ionic conductivity of perovskite (Li0.5 La0.5) TiO3 solid sta
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钛酸锶铅((Pb1-xSrx)TiO3,PST)固溶体材料是一种性能优良的钙钛矿型铁电材料,其形成铁电相的温度较低,且易于和半导体工艺结合,应......
本文采用磁控溅射镀膜技术，制备NdFeB、TbFe单层及TbFe/NdFeB复合薄膜。通过设计正交试验，优化溅射工艺参数。采用振动样品磁强仪、X......
